high-electron-mobility transistors

基本解释

• [電子、通信與自動控制技術]高電子遷移率場傚應晶躰琯

英汉例句

雙語例句

• Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
  在變緩沖層高遷移率晶躰琯（MM_HEMT）器件中，二維電子氣的輸運性質對器件性能起著決定作用。

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专业释义

電子、通信與自動控制技術

• 高電子遷移率場傚應晶躰琯